GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
作者:标准资料网 时间:2024-05-12 10:28:22 浏览:8748
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基本信息
| 标准名称： | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 |
| 英文名称： | Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy |
| 中标分类： | 化工 >> 化工综合 >> 基础标准与通用方法 |
| ICS分类： | 化工技术 >> 分析化学 >> 化学分析 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2010-09-26 |
| 实施日期： | 2011-08-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 全国微束分析标准化技术委员会 |
| 提出单位： | 全国微束分析标准化技术委员会 |
| 归口单位： | 全国微束分析标准化技术委员会 |
| 起草单位： | 中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院 |
| 起草人： | 刘芬、王海、赵良仲、宋小平、赵志娟、邱丽美 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2011-08-01 |
| 页数： | 12页 |
适用范围
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法,即X 射线光电子能谱法(XPS)。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常,本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 化工 化工综合 基础标准与通用方法 化工技术 分析化学 化学分析
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